半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。近年來，在5G 商用進(jìn)程加速的不斷推動(dòng)下，全球半導(dǎo)體集成電路行業(yè)景氣度提升，帶動(dòng)半導(dǎo)體集成電路材料特別是硅材料市場(chǎng)需求增長(zhǎng)。神工股份作為半導(dǎo)體級(jí)單晶硅材料領(lǐng)域的{lx1}者，憑借著核心技術(shù)和工藝優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步提升刻蝕用半導(dǎo)體級(jí)單晶硅材料產(chǎn)品的xjb水平，迅速搶占市場(chǎng)份額。

據(jù)了解，半導(dǎo)體級(jí)單晶硅材料是晶圓制造環(huán)節(jié)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，屬于半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上游原材料領(lǐng)域，工藝要求較高，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格，目前半導(dǎo)體刻蝕環(huán)節(jié)所用單晶硅材料已可滿足高精度制程芯片刻蝕環(huán)節(jié)的生產(chǎn)制造需求。

考慮到全球主要刻蝕設(shè)備供應(yīng)商所生產(chǎn)的刻蝕設(shè)備型號(hào)存在差異，半導(dǎo)體刻蝕環(huán)節(jié)所用單晶硅材料的生產(chǎn)需要滿足客戶定制化的需求。在經(jīng)過多年的技術(shù)創(chuàng)新和研發(fā)積累后，神工股份在半導(dǎo)體級(jí)單晶硅材料領(lǐng)域已建立起完整的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售體系，產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，已可滿足7mm先進(jìn)制程芯片制造刻蝕環(huán)節(jié)對(duì)硅材料的工藝要求。在神工股份研發(fā)團(tuán)隊(duì)的緊密配合下，目前公司已取得如下業(yè)內(nèi){lx1}的成果：

1. 在無磁場(chǎng)輔助條件下，以 28 英寸小熱場(chǎng)高良率成長(zhǎng)出 16 英寸以上（晶向指數(shù) 100）的超大直徑單晶體；

        2. 實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 70-80ohm/cm 超窄電阻率、高面內(nèi)均勻性的 18 英寸單晶體；

        3. 為滿足國(guó)際知名半導(dǎo)體廠商產(chǎn)品需求，神工股份率先實(shí)現(xiàn) 19 英寸（晶向指數(shù)100）單晶體量產(chǎn)，為進(jìn)一步量產(chǎn) 22 英寸以上超大直徑單晶體奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；

        4. 為滿足國(guó)際知名半導(dǎo)體廠商產(chǎn)品需求，神工股份成功研發(fā)業(yè)內(nèi)首批 17 英寸（晶向指數(shù) 111）硅單晶體；

        5. 截至當(dāng)期，神工股份已成功研發(fā)在無磁場(chǎng)輔助下芯片用的 8 英寸晶體的低缺陷成長(zhǎng)技術(shù)，為下一階段研發(fā)及量產(chǎn)芯片用 12 英寸低缺陷晶體打下良好基礎(chǔ)。

面對(duì)5G和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)帶來的可觀機(jī)遇，神工股份將持續(xù)跟蹤半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展前沿，研究半導(dǎo)體行業(yè)未來發(fā)展趨勢(shì)，并不斷增加半導(dǎo)體級(jí)單晶硅材料領(lǐng)域的研發(fā)投入，同時(shí)保持與國(guó)內(nèi)外下游客戶的密切溝通。未來，神工股份將為下游客戶提供更符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)且具有較高xjb的半導(dǎo)體級(jí)單晶硅材料。更多關(guān)于神工股份以及神工半導(dǎo)體內(nèi)容請(qǐng)關(guān)注公司官方網(wǎng)站http://www.thinkon-/了解詳情！