晶體二極管
  晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起構(gòu)成一個(gè) PN結(jié)。在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而構(gòu)成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻撓了空穴和電子的持續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)到達(dá)平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊）接電源的正極而另一端接負(fù)極時(shí)，空穴和電子都向偶極層活動(dòng)而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都違背偶極層活動(dòng)而使偶極層變厚，同時(shí)電流被約束在一個(gè)很小的飽滿值內(nèi)(稱反向飽滿電流)。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。此外，PN結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用，這電容跟著外加電壓的改動(dòng)而改動(dòng)。在偶極層內(nèi)部電場(chǎng)很強(qiáng)。當(dāng)外加反向電壓到達(dá)必定閾值時(shí)，偶極層內(nèi)部會(huì)發(fā)作雪崩擊穿而使電流突然添加幾個(gè)數(shù)量級(jí)。利用PN結(jié)的這些特性在各種使用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（抓獲等離子體雪崩渡越時(shí)間二極管）等。此外，還有利用PN結(jié)特別效應(yīng)的隧道二極管，以及沒有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等。
  雙極型晶體管
  它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，其間一個(gè)PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，另一個(gè)稱為集電結(jié)。兩個(gè)結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在使用時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電極處于反向偏置。經(jīng)過發(fā)射結(jié)的電流使很多的少量載流子注入到基區(qū)里，這些少量載流子靠擴(kuò)散遷移到集電結(jié)而構(gòu)成集電極電流，只有極少量的少量載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而構(gòu)成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流擴(kuò)大系數(shù)。在共發(fā)射極電路中，細(xì)小的基極電流改動(dòng)能夠操控很大的集電極電流改動(dòng)，這便是雙極型晶體管的電流擴(kuò)大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。
  場(chǎng)效應(yīng)晶體管
  它依托一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改動(dòng)其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有擴(kuò)大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。操控橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。
  根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管能夠分為三種：
  ①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極)；
  ②MOS場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見金屬－絕緣體－半導(dǎo)體體系）；
  ③MES場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其間MOS場(chǎng)效應(yīng)管使用最廣泛。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特別的優(yōu)越性。MES場(chǎng)效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。
  在MOS器材的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器材 (CCD)，它是以半導(dǎo)體表面鄰近存儲(chǔ)的電荷作為信息，操控表面鄰近的勢(shì)阱使電荷在表面鄰近向某一方向搬運(yùn)。這種器材一般能夠用作延遲線和存儲(chǔ)器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。