提高加熱爐熱效率的主要措施：

（1）采用{gx}、大能量的燃燒器，提高燃燒質(zhì)量。

（2）監(jiān)控煙氣中的氧和一氧化碳含量，降低過?？諝庀禂?shù)。

（3）增設空氣預熱器或余熱鍋爐，回收煙氣余熱。

（4）對流室采用釘頭管或翅片管，設置自動吹灰器，強化對流式的傳熱過程，使之多吸收熱量。

（5）采用低傳熱系數(shù)的耐火絕熱材料，降低爐壁散熱損失。

（6）加強堵漏，減少漏入爐膛的空氣量。

（7）采用計算機或數(shù)字控制儀進行最.佳燃燒控制。

沉積的均勻性與電極和腔室的設計很有關系。管式PECVD系統(tǒng)由于其石墨舟中間鏤空，因此利用了硅片作為電極的一部分，因此輝光放電的特性就與硅片表面的特性有了一定的關系，比如硅片表面織構(gòu)化所生成的金子塔{jd0}的狀態(tài)就對等離子體放電產(chǎn)生影響，而目前硅片的電導率的不同也影響到等離子場的均勻性。另外管式PECVD的氣流是從石英管一端引入，這樣也會造成工藝氣體分布的不均勻。

　板式PECVD系統(tǒng)使用了襯底板作為電極，而且采用勻氣的Shower系統(tǒng)，但是由于襯底板在長期加熱后會有稍微的翹曲，從而造成平行板電極間距的不一致，也會造成片間不均勻。另外，等離子體直接法在大面積沉積時會造成由于高頻波長所帶來的附加的不均勻性。

加熱爐為什么要分輻射室和對流室？

答：1)加熱爐的輻射室有兩個作用：一是作燃燒室；二是將燃燒器噴出的火焰、高溫煙氣及爐墻的輻射傳熱通過爐管傳給介質(zhì)。這種爐子主要是靠輻射室內(nèi)的輻射傳熱，小部分靠對流室的對流傳熱，這只占整個傳熱的10％左右。

2)對流室的主要作用是：在對流室內(nèi)的高溫煙氣以對流的方式將熱量傳給爐管內(nèi)的介質(zhì)。在對流室內(nèi)也有很小一部分煙氣及爐墻的輻射傳熱。如果一個加熱爐只有輻射室而無對流室的話，則排煙溫度提高，造成能源浪費，操作費用增加，經(jīng)濟效益降低，為此，在設計加熱爐時，通常都要設置對流室，以便能充分回收煙氣中的熱量。

方法的優(yōu)缺點比較

　　各種方法都有其有缺點：從大的方面講，直接PECVD法對樣品表面有損傷，會增加表面少子的復合，但是也正是由于其對表面的轟擊作用，可以去除表面的一些自然氧化層，使得表面的雜質(zhì)原子得到抑制，另外直接法可以使得氫原子或氫離子更深入地進入到多晶硅晶界中，使得晶界鈍化更充分。

　　使用不同頻率的PECVD系統(tǒng)，也各有一定的優(yōu)缺點：

　?。?）頻率越高均勻面積越小，越難于達到大面積均勻性。

　?。?）頻率越低對硅片表面的損傷越嚴重。

　　（3）頻率越低離子進入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的鈍化。

煙道氣中氧含量過高應怎樣處理？

答：煙道氣中氧含量過高是由于爐體堵漏不好，造成外界空氣進入爐膛內(nèi)部，風門開得過大以及煙道擋板開度偏大，爐膛負壓值高，使大量空氣進入爐內(nèi)造成煙氣中氧含量過高，過?？諝庀禂?shù)α增大而造成爐子的熱效率降低。應加強爐體的堵漏，及時調(diào)節(jié)好風門、汽門、油門和檔板（俗稱三門一板），控制合理的過?？諝庀禂?shù)，要控制合理的過?？諝庀禂?shù)還必須建立定期的煙氣采樣分析制度，對數(shù)據(jù)要認真分析。

化學氣相沉積(CVD)是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，bao括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。

雙溫區(qū)管式爐

產(chǎn)品概述：

RK-T1600-L6010LB2雙溫區(qū)高溫真空氣氛管式爐以硅鉬棒為發(fā)熱元件；雙層風冷結(jié)構(gòu)；高純氧化鋁纖維真空吸附一次成型；30段可編程智能控制（可外接遠程控制）； 加熱區(qū)長度660mm；可通氣氛及抽真空，爐體采用雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風冷系統(tǒng)，使得殼體表面的溫度小于60度，爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維，減少熱量的損失，內(nèi)爐膛表面涂有高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。該設備是科佳電爐自行研制開發(fā)的高性能高節(jié)能的新型管式電爐，產(chǎn)品具有先進合理的結(jié)構(gòu)，升溫快，操作簡便，密封性能好，可預抽真空，真空能保持較長時間，也可以保持微正壓。

主要用途：

RK-T1600TL6010LB2雙溫區(qū)高溫氣氛管式爐廣泛用于冶金、機械、輕工、商檢、高等院校及科研部門，用于電子陶瓷產(chǎn)品的預燒、燒結(jié)、鍍膜、高溫熱解低溫沉積（CVD）工藝等。

什么是頂燒爐？

答：制氫轉(zhuǎn)化爐是制氫裝置的關鍵設備，大多采用頂燒爐，其輻射室為箱式結(jié)構(gòu)，燃燒器布置在爐頂，一排燃燒器，一排爐管順序布置。制氫轉(zhuǎn)化爐的操作條件是最苛刻的，轉(zhuǎn)化管系統(tǒng)都是高鉻鎳合金材料，因此采用單排管雙面輻射型爐，可以避免局部過熱，使爐管周向和軸向溫度分布均勻，提高爐管的利用率。實際上，制氫轉(zhuǎn)化爐是一個多管并流的外加熱式反應器，爐管內(nèi)裝有催化劑，管內(nèi)介質(zhì)一邊吸熱，一邊進行著復雜的化學反應。

為什么管內(nèi)結(jié)焦會使管壁溫度上升，并使爐管損壞：管內(nèi)壁結(jié)上一層焦炭以后，增加了一層焦垢熱阻，使管壁溫度升高。其后，氣相和液相介質(zhì)將繼續(xù)滲透到焦層的空隙中去，繼續(xù)結(jié)焦，逐漸形成越來越厚的堅實的焦層，使管內(nèi)溫度急劇上升。當溫度升高到允許值以上，加劇了爐管的腐蝕和高溫氧化，使管壁厚度減薄，引起爐管鼓bao、破裂。同時使管內(nèi)壓力降升高，爐子操作性能惡化甚至造成裝置停產(chǎn)。