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存儲(chǔ)器

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CYPRESS存儲(chǔ)器 eeprom存儲(chǔ)器  CY7C1020DV33
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CYPRESS存儲(chǔ)器 eeprom存儲(chǔ)器  CY7C1020DV33

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,功耗較小,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。              

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CYPRESS存儲(chǔ)器flash存儲(chǔ)器  CY7C1020D
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RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問、訪問所需時(shí)間基本固定、且與存儲(chǔ)單元地址無關(guān)的可以讀寫的存儲(chǔ)器。幾乎所有的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和智能電子產(chǎn)品中,都是采用RAM作為主存。            

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CYPRESS存儲(chǔ)器 ic存儲(chǔ)器  CY7C1019CV33
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CYPRESS存儲(chǔ)器 ic存儲(chǔ)器  CY7C1019CV33

存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。

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CYPRESS存儲(chǔ)器  usb存儲(chǔ)器  CY62256VNLL
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SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAMDynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,功耗較小,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。

現(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下:

◎優(yōu)點(diǎn),速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。

◎缺點(diǎn),集成度低,掉電不能保存數(shù)據(jù),功耗較大,相同的容量體積較大,而且價(jià)格較高,少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提{gx}率。



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CYPRESS存儲(chǔ)器  wifi存儲(chǔ)器  CY62256NLL
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CYPRESS存儲(chǔ)器  wifi存儲(chǔ)器  CY62256NLL

 SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。

現(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下:

◎優(yōu)點(diǎn),速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。

◎缺點(diǎn),集成度低,掉電不能保存數(shù)據(jù),功耗較大,相同的容量體積較大,而且價(jià)格較高,少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提{gx}率。



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CYPRESS存儲(chǔ)器  半導(dǎo)體存儲(chǔ)器  CY62256EV18LL
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 SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。


現(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下:

 RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問、訪問所需時(shí)間基本固定、且與存儲(chǔ)單元地址無關(guān)的可以讀寫的存儲(chǔ)器。幾乎所有的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和智能電子產(chǎn)品中,都是采用RAM作為主存。



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CYPRESS存儲(chǔ)器  半導(dǎo)體存儲(chǔ)器  CY62187EV30LL
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 記憶存儲(chǔ)器有兩大類,一種稱為靜態(tài)RAM(Static RAM/SRAM)SRAM速度非??欤悄壳白x寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了,但是它也非常昂貴,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一級(jí)緩沖,二級(jí)緩沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM)DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短,速度也比SRAM慢,不過它還是比任何的ROM都要快,但從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多,計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。

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CYPRESS存儲(chǔ)器   SRAM存儲(chǔ)器  CY62167GN30
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 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。

存儲(chǔ)器的構(gòu)成

構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元,它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。 一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)。


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CYPRESS存儲(chǔ)器  存儲(chǔ)器芯片  CY62167GE30
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  半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器,內(nèi)存儲(chǔ)器就是由稱為存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。

 
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。

存儲(chǔ)器的構(gòu)成

構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元,它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。 一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)。



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CYPRESS存儲(chǔ)器  計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器  CY62167G30
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 存儲(chǔ)器主要用于存儲(chǔ)系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。存放系統(tǒng)軟件的存儲(chǔ)器稱為系統(tǒng)程序存儲(chǔ)器,存放應(yīng)用軟件的存儲(chǔ)器為用戶程序存儲(chǔ)器,存放工作數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器稱為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,常用的存儲(chǔ)器有RAM,EPROMEEPROM,RAM是一種可進(jìn)行讀寫操作的隨機(jī)存儲(chǔ)器存放用戶程序,生成用戶數(shù)據(jù)區(qū),存放在RAM中的用戶程序可方便地修改,RAM存儲(chǔ)器是一種高密度,低功耗,性價(jià)比高的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,可用鋰電池做備用電源,掉電時(shí),可有效的保存存儲(chǔ)的信息EPROM EEPROM都是只讀存儲(chǔ)器,用這些類型存儲(chǔ)器固化系統(tǒng)管理程序和應(yīng)用程序。

主要有:

1. 存儲(chǔ)容量: 存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時(shí)間:從啟動(dòng)讀()操作到操作完成的時(shí)間

3. 存取周期:兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作所需間隔的最小時(shí)間

4. 平均故障間隔時(shí)間MTBF(可靠性)

5. 功耗:動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗


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CYPRESS存儲(chǔ)器 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器  CY62167ELL
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 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAMDynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,功耗較小,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。

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CYPRESS存儲(chǔ)器 隨機(jī)存儲(chǔ)器  CY62167DV30LL
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 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAMDynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,功耗較小,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。

現(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下:

◎優(yōu)點(diǎn),速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。

◎缺點(diǎn),集成度低,掉電不能保存數(shù)據(jù),功耗較大,相同的容量體積較大,而且價(jià)格較高,少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提{gx}率。


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原廠批發(fā)串行 存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器 AT24C08 AT2408-SU27 存儲(chǔ)器原裝
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產(chǎn)品簡介

類型 其他IC 品牌 Atmel/愛特梅爾 型號(hào) AT24C08 AT2408-SU27 功率 W 用途 儀器 封裝 SOP8/DIP8 批號(hào) 以實(shí)物為準(zhǔn)
主營產(chǎn)品:

IC產(chǎn)品;電子元器件;單片機(jī);電源IC;驅(qū)動(dòng)IC

企業(yè)地址:廣東深圳布吉街道木棉灣六巷2號(hào)101
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供應(yīng)存儲(chǔ)器,74HC
企業(yè)簡介:供應(yīng)存儲(chǔ)器,74HC
主營產(chǎn)品:

各種集成IC;三極管;二極管;電池;單片機(jī);存儲(chǔ)器;可控硅;肖特基;場效應(yīng);快恢復(fù);傳感器;電位器;蜂鳴器;繼電器;晶振;光電耦合;影音功放IC;數(shù)模AD轉(zhuǎn)換;可編程;通訊\接口網(wǎng)絡(luò);

企業(yè)地址:中國 浙江 杭州市 杭州市登云路639號(hào)文化商城4樓C區(qū)100/北京丁小姐 010-62556615
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供應(yīng)DLINK網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器
企業(yè)簡介:供應(yīng)DLINK網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器
主營產(chǎn)品:

交換機(jī);路由器;雙絞線;數(shù)據(jù)配線架;光纖連接配件;信息模塊;信息面板;語音跳線架;數(shù)據(jù)跳線;RJ45接頭;代工布線產(chǎn)品;

企業(yè)地址:中國 北京 北京市 蘇州街大河莊苑4號(hào)樓2單元3A03
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