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早在2020年下半年就，手機芯片處于缺貨狀態(tài)。今年，在小米redmi k40 發(fā)布會上小米區(qū)總裁盧偉冰曾提到，“今年芯片缺貨，不是缺，而是 缺”，甚至都不敢承諾今年不會缺貨。 realme 相關(guān)負(fù)責(zé)人也曾說，“高通主芯片、小料都缺貨，包括電源類和射頻類的器件?！?br />
那么芯片缺到什么程度？
，高通系列物料交期延長至 30 周以上，不僅是手機處理器，csr 藍(lán)牙音頻芯片交付周期已經(jīng)達到 33 周以上，pmic 電源管理芯片，mcu 微處理器芯片都有缺貨現(xiàn)象。，這種缺貨狀況至少要持續(xù)到今年年底。芯片為什么會缺貨？
認(rèn)為美國得克薩斯州受寒流影響，導(dǎo)致奧斯汀的兩家芯片工廠停產(chǎn)，造成芯片產(chǎn)能受限。另外，汽車行業(yè)對芯片的需求，進一步擴大了芯片需求。后，華為、oppo 以及 vivo、一加在內(nèi)手機廠商都在加大手機產(chǎn)品的備貨數(shù)量，這加大了芯片供需不平衡。缺芯會導(dǎo)致什么？
雖然缺芯，但2021年手機市場顯示出回暖跡象。根據(jù)digitimes research新的數(shù)據(jù)，2021年季度，智能手機出貨量同比增長將達到近50 ，預(yù)估為3.4億部。digitimes research估計2021年，的5g手機出貨量將超過6億部，這將遠(yuǎn)過一年前的2.8億部
東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預(yù)計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當(dāng)耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對整個移動設(shè)備與儲存市場上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。 AO4601 AO4613 AO4627 AO4629 AO4922 AO4924 FDS5692Z FDS3512 FDS7766S FDS7766 FDS6994S FDS8882 FDS6892AZ FDS6680S Si2343DS-T1-E3 Si2333CDS-T1-GE3 Si2319CDS-T1-GE3 Si2312CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Si2305CDS-T1-GE3 Si2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-E3 HMC481MP86E MP2130DG-C423-LF-Z MSA-0486-TR1G NTMFS4119NT1G NJM4580CG-TE2 NTMFS4C09NAT1G NTV1215MC IRFH7936TRPBF TLV61220DBVR